itc55100雪崩能量测试仪替代 产品

2023-05-11 15:00 124.116.164.120 2次
发布企业
西安天光测控技术有限公司商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
6
主体名称:
西安天光测控技术有限公司
组织机构代码:
91610131MA6UUR694D
报价
人民币¥115000.00元每台
品牌
天光测控
型号
ST-DP_U(1200
关键词
雪崩能量测试仪,itc55100雪崩能量测试仪,雪崩耐量雪崩能量测试仪
所在地
陕西省西安市高陵区泾环北路1798号11-303
手机
15596668116
联系人
王先生  请说明来自顺企网,优惠更多
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产品详细介绍

产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可测试 Si/SiC/GaN材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

ST-DP_U(1200V200A)

itc55100雪崩能量测试仪替代产品

Si/SiC/GaN 材料的DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量测试仪
   
     单脉冲雪崩能量 EAS1uJ~5000mJ(VDS电压>600V条件下)
单脉冲雪崩电流  IAS 1A~500A(VDS 电压>600V 条件下)
    单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW(VDS电压>600V条件下)
双脉冲雪崩**....................................................................................

          



♦产品简述
     ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换,可测试各类封装外观的IGBTs,MOSFETs,DIODEs等功率器件,包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT(双脉冲测试DoublePulse Testing,以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9****。
     产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。


♦产品特点

测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV
 内置7颗标准电感负载可选用,另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
 另有程控式电感箱可供选择
 针对不同结构的封装外观,通过更换 DUT适配器即可
 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件
 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH
 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)
 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合CE认证
 支持半自动和全自动测试
 采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点
 自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线
 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传指定局域网
 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。

♦参数指标








所属分类:中国仪表网 / 参数测量仪
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法定代表人王军
注册资本300万
主营产品半导体分立器件测试筛选系统|IGBT静态参数测试仪|IGBT动态参数测试仪| 功率循环试验台|高温反偏差测试系统
经营范围工业电气产品及电力电子测控设备的研发、销售;功率半导体器件的开发设计;电力电子技术的技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
公司简介西安天光测控技术有限公司是一家专业从事半导体功率器件测试设备研发、生产、销售的高新技术企业。产品有半导体分立器件测试筛选系统。Si,SiC,GaN材料的IPM,IGBT,MOS,DIODE,BJT,SCR的电参数及可靠性和老化测试。静态单脉冲(包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数)动态双脉冲(包括Turn_ON_L,Turn_OFF_L,FRD,Qg)Rg,UIS,SC,C,RBSOA等。环 ...
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