类型 | 光刻胶型号 | 适用光谱 | 厚度um | 分辨率 | 适用工艺 |
AZ系列 | AZ5214,AZ4620,AZ6130等 | g/h/i-line | 1-30um | 1um | 可用于深硅刻蚀 |
SU-8系列 | SU-8 10系列,20系列等 | g/h/i-line | 0.1-400um | 0.5um | 适合于高深宽比工艺,透明度高,垂直度好 |
PI | LTC9000系列 | g/h/i-line | 4-50um | 4um | 用于非铜衬底工艺,固化温度低可以达到250C° |
电子束胶 | HS/16 | 电子束 | 100nm | 350nm-810nm | 分辨率好的光刻胶,抗刻蚀 |
EB200 系列正性电子束光刻胶主要应用于射频芯片、光电子芯片、掩膜制作等领域,
用于亚微米光刻工艺中图形掩膜层制作,EB200 系列产品具有高分辨率、高感度、抗刻蚀等
优点,产品技术、原材料已实现自主可控。EB200 series positive E-beam resist is usedin
sub-micron lithography process for RF chip, optoelectronic chip,mask layer production etc., EB200 series products have highresolution,sensitivity and dry etch resistance. 产品性能
膜厚范围:30-500nm;
高分辨率(20nm);
高感度~60μC/cm2 (Dose to clear);
良好的工艺宽容度;
耐刻蚀性能;
安全溶剂;
FEATURES
The thickness range:30-500nm;
High resolution (20nm);
High Sensitivity ~60μC/cm2;
Good process margin latitude;
Good dry etch resistance ;
Safety solvent;
产品型号及参数 PRODUCT RANGE & PARAMETER
Spin Curve Pattern Profiles
Sensitivity curve Dry etch resistance
Product name EB200-040 EB200-030 EB200-020 EB200-012
Film thickness 650-350nm 500-250nm 300-200nm 200-30nm
E
B
2
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0
S
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