项目 | 要求及指标 | |
输入电压范围 | 220V±10%，50Hz/60Hz | |
测试电流范围 | 0.5~150A，1%RD±0.2%fs | |
测试开路电压精度 | 1%RD±0.2%fs | |
试验模式 | 熔断时间测试M1和耐久性测试M2 | |
测试时间范围
| M1模式时间范围:10mS--60分钟 M2模式时间范围：10mS--100小时 | |
耐久性时间设置 | 0~99H59M | |
次数设置 | 0~9999次 | |
时间分辨率 | 10ms | |
测试电流步 | 50mA~1A，可设置 | |
测试电流精度 | M1模式< ±0.4%SET +50mA（‘SET’为设置数值）， M2模式<±0.5%SET +100mA（‘SET’为设置数值） | |
测试时间精度 | M1模式< ±10mS+0.3%RD（‘RD’为实际工作时间数值）， M2模式<±10mS+0.5%RD（‘RD’为实际工作时间数值） | |
显示方式 | 7寸触摸屏显示 | |
控制方式 | FPGA+ARM 控制 | |
其他 | 支持外接U盘拷贝试验数据、数据保存功能，免费开放通信接口及提供底层通信协议 |
交流用电设备，家用电器、办公及电脑设备、AC/DC电源适配器等，都需要电源适配器。如果您设计和制造电源适配器、充电器或类似设备，那么检查用电设备的峰值冲击电流是一项基本测试。您需要确保您的适配器正常启动，没有熔坏丝，损坏开关触点，或影响其他连接到同一交流线路设备的运行。您可能还需要测量在各种频率下的输入电压、输入电流和输入功率以确保电源在您的规定范围内。想想一辆停在路上并且发动机关闭的汽车，如果要在不使用发动机的情况下移动汽车，我们将需要很大的力来推动汽车。LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。